ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НАНОСТРУТУРИРОВАННЫХ МЕТАЛЛОУГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК

ВВЕДЕНИЕ 5 1 ТЕОРИЯ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК 7 1.1 Химическое осаждение 7 1.1.1 Химическое осаждение из газовой фазы 9 1.1.2 Газофазная эпитаксия 20 1.1.2 Плазменный метод 21 1.2 Физические методы осаждения 23 1.2.1 Термическое испарение 23 1.2.2 Электрогидродинамическое осаждение 35 2 ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТОВ 39 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 47 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 48

1) "One big wire change in '97 still helping chips achieve tiny scale". IBM Research Blog. URL: http://www.qrz.ru/articles/article260.html (дата обращения: 07.05.2021). 2) "One-Dimensional Dislocations. II. Misfitting Monolayers and Oriented Overgrowth". Proceedings of the Royal Society of London. URL: https://royalsocietypublishing.org/doi/10.1098/rspa.1949.0096 (дата обращения: 04.05.2021). 3) "One-dimensional dislocations. I. Static theory". Proceedings of the Royal Society of London[Электронный ресурс]. URL: https://royalsocietypublishing.org/doi/10.1098/rspa.1949.0095 (дата обращения: 07.05.2021). 4) "One-dimensional dislocations. I. Static theory". Proceedings of the Royal Society of London[Электронный ресурс]. URL: https://royalsocietypublishing.org/doi/10.1098/rspa.1949.0095 (дата обращения: 07.05.2021). 5) Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. — М.: Энергоатомиздат, 2017. — 328 с. 6) Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. — М.: Радио и связь, 2019. — 232 с. 7) P.B. Sorokin, H. Lee, L. Yu Antipina, A.K. Singh, and B.I. Yakobson: Calcium-decorated carbyne networks as hydrogen storage media. Nano Lett. 11, 2660 (2018). 8) R.R. Tykwinski, W. Chalifoux, S. Eisler, A. Lucotti, M. Tommasini, D. Fazzi, M. Del Zoppo, and G. Zerbi: Toward carbyne: synthesis and stability of really long polyynes. Pure Appl. Chem. 82, 891, (2019). 9) A. Milani, M. Tommasini, and G. Zerbi: Carbynes phonons: a tight binding force field. J. Chem. Phys. 128, 064501 (2018). 10) Single Charge Tunneling, edited by H. Grabert and M. H. Devoret (Plenum, New York, 2020) p. 249. 11) K. O. Havelka and F. E. Filisko, Progress in Electrorheology (Plenum, New York, 2018). 12) Сыркин В. Г. CVD-метод. Химическое парофазное осаждение. — М.: Наука, 2020. — 482 с. — ISBN 5-02-001683-7. 13) Попов В. Ф., Горин Ю. Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. — М.: Высш. шк., 2018. — 255 с 14) Виноградов М.И., Маишев Ю.П. Вакуумные процессы и оборудование ионно - и электронно-лучевой технологии. — М.: Машиностроение, 2017. — 56 с. 15) Хасуй А. Техника напыления. Перевод с японского Масленникова С. Л.. М. Изд-во Машиностроение. 2018 г. 288с 16) Д.Толливер, Р.Новицки, Д.Хесс и др.; Под ред. Н.Айнспрука, Д.Брауна. Плазменная технология в производстве СБИС. — М.: Мир, 1987. — 469 с 17) Соснин Н. А., Ермаков С. А., Тополянский П. А. Плазменные технологии. Руководство для инженеров. Изд-во Политехнического ун-та. СПб.: 2013. - 406 с. 18) Л.Х. Балдаев. Реновация и упрочнение деталей машин методами газотермического напыления. — М.: КХТ, 2018. 19) Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 20) Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и до-полненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007 21) Бушминский И. П., Морозов Г. В. Технологическое проектирование микросхем СВЧ. — М: МГТУ, 2001. — 356 с. 22) Щука А.А. Электроника. — СПб.: БХВ-Петербург, 2008. — 752 с. 23) Стрельницкий В. Е., Аксенов И. И. Плёнки алмазоподобного углерода. — Харьков: ИПП “Контраст, 2016. 24) Burke J.G. Origins of the science of crystals. University of California, Los Angeles, 2017. 198 p. 25) Металлургия поликристаллического кремния высокой чистоты. Лапидус И.И., Коган Б.А. Перепелкин В.В. и др.; М: Металлургия 2018 г.; 143с 26) Custer, J.S.; Polman, A.; Pinxteren, H. M. Erbium in crystal silicon: Segregation and trapping during solid phase epitaxy of amorphous silicon // Journal of Applied Physics. — 1994. 2809 p.

1 ТЕОРИЯ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК Методы осаждения делятся на две широкие категории в зависимости от того, является ли процесс в основном химическим или физическим. Химический метод – в этом случае жидкий прекурсор претерпевает химические изменения на твердой поверхности, оставляя твердый слой. В качестве повседневного примера можно привести образование сажи на холодном предмете, когда его помещают в пламя. Поскольку жидкость окружает твердый объект, осаждение происходит на любой поверхности, без учета направления; тонкие пленки, полученные методом химического осаждения, как правило, имеют конформную, а не направленную структуру. 1.1 Химическое осаждение Химическое осаждение также подразделяется по фазе прекурсора: осаждение опирается на жидкие прекурсоры, часто представляющие собой раствор воды с солью осаждаемого металла. Некоторые процессы осаждения полностью зависят от реагентов в растворе (обычно для благородных металлов), но, безусловно, наиболее важным с коммерческой точки зрения является гальванический процесс. В производстве полупроводников для создания медных проводников в современных чипах теперь используется усовершенствованная форма гальванического осаждения, известная как электрохимическое осаждение, которое заменило процессы химического и физического осаждения, использовавшиеся в предыдущих поколениях чипов для алюминиевых проводов[1].