Онлайн поддержка
Все операторы заняты. Пожалуйста, оставьте свои контакты и ваш вопрос, мы с вами свяжемся!
ВАШЕ ИМЯ
ВАШ EMAIL
СООБЩЕНИЕ
* Пожалуйста, указывайте в сообщении номер вашего заказа (если есть)

Войти в мой кабинет
Регистрация
ГОТОВЫЕ РАБОТЫ / КУРСОВАЯ РАБОТА, ФИЗИКА

КУРСОВАЯ РАБОТА по физике твердого тела

bychkova_arina 600 руб. КУПИТЬ ЭТУ РАБОТУ
Страниц: 32 Заказ написания работы может стоить дешевле
Оригинальность: неизвестно После покупки вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100% с помощью сервиса
Размещено: 23.08.2021
Работа написана в 2020 году, защищена на отлично.
Введение

Полупроводники — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенид индия — к узкозонным. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Почти все неорганические вещества окружающего нас мира — полупроводники. Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий около 30 % земной коры. В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается. Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи абсолютного нуля температуры полупроводники имеют свойства диэлектриков.
Содержание

ВВЕДЕНИЕ 3 ГЛАВА 1 СОБСТВЕННЫЕ (БЕСПРИМЕСНЫЕ) ПОЛУПРОВОДНИКИ 6 ГЛАВА 2 ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 9 ГЛАВА 3 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 16 ГЛАВА 4 РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА 22 4.1 Формулировка задания 22 4.2 Выполнение 25 4.3 Решение 25 ВЫВОДЫ 30 БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 31
Список литературы

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Трофимова Т.И. Курс физики [Текст] / Т.И. Трофимова. — М.: Издательский центр «Академия», 2006. — 560 с. 2. Детлаф А.А. Курс физики: учеб. Пособие [Текст] / А. А. Детлаф, Б. М. Яворский. — М.: Высшая школа, 2002. — 718 с. 3. Чуркин Ю.В. Физика твёрдого тела [Текст] / Ю.В. Чуркин, С.В. Субботин. — СПб.: Изд-во СЗТУ, 2008. — 659 с.
Отрывок из работы

ГЛАВА 4 РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА 4.1 Формулировка задания Имеется слабо легированный полупроводник на основе германия или кремния с донорной или акцепторной примесью. Электропроводность такого полупроводника определяется концентрацией основных носителей заряда и их подвижностью. 1. Определить концентрацию основных носителей заряда электронов или дырок в трех температурных областях (рис. 4.1): I — область слабой ионизации примеси ( ); II — область истощения примеси ( ); III — область собственной проводимости ( ). Здесь — температура истощения примеси, — температура перехода к собственной проводимости. Данные по типу полупроводника, виду и концентрации примеси, энергии ионизации выбираются по вариантам из табл. 1 Построить зависимость натурального логарифма концентрации электронов или дырок от обратной температуры трех областей (рис. 4.1.).
Условия покупки ?
Не смогли найти подходящую работу?
Вы можете заказать учебную работу от 100 рублей у наших авторов.
Оформите заказ и авторы начнут откликаться уже через 5 мин!
Служба поддержки сервиса
+7 (499) 346-70-XX
Принимаем к оплате
Способы оплаты
© «Препод24»

Все права защищены

Разработка движка сайта

/slider/1.jpg /slider/2.jpg /slider/3.jpg /slider/4.jpg /slider/5.jpg