Войти в мой кабинет
Регистрация
ГОТОВЫЕ РАБОТЫ / РЕФЕРАТ, ЭЛЕКТРОНИКА, ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, РАДИОТЕХНИКА

Основные процессы планарной технологии

arina_pal 60 руб. КУПИТЬ ЭТУ РАБОТУ
Страниц: 17 Заказ написания работы может стоить дешевле
Оригинальность: неизвестно После покупки вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100% с помощью сервиса
Размещено: 13.03.2018
В данном реферате я рассмотрел процесс создания компьютерного микропроцессора и отсюда можно выделить, что производство микропроцессоров состоит из двух важных этапов. Первый заключается в производстве подложки. Сюда входит и придание подложке проводящих свойств. Второй этап - тест подложек, сборка и упаковка процессора. И что в целом планарная технология это очень сложный технологический процесс. Из всей проделанной работы можно сделать вывод, что главной идей планарной технологии заключается в последовательном изготовлении слоев с заданными рисунками, отличающихся электрическими свойствами и расположенными друг над другом.
Введение

Основой современных твердотельных технологий, полупроводниковых в том числе, являются различные физико-химические процессы, сознательно управляемые человеком. Появление планарной технологии в 20 веке привело к возникновению, так называемых, информационных технологий, информационный среды «Интернета». В значительной степени именно планарная и информационная технологии способствовали объединению международного сообщества в единое целое. Основой информационных технологий является кремниевая микросхема, которая представляет собой большую совокупность маленькие ячеек соединенных в интегральные цепи. Современные микропроцессоры – это самые быстрые и умные микросхемы в мире. Они могут совершать до 4 млрд. операций в секунду и производятся с использованием множества различных технологий. С начала 90-х годов 20 века, когда процессоры пошли в массовое использование они пережили несколько ступеней развития. Апогеем развития микропроцессорных структур, использующих существующие технологии микропроцессоров 6-го поколения, стал 2002 год, когда стало доступным использование всех основных свойств кремния для получения больших частот при наименьших потерях при производстве и создании логических схем. Сейчас же эффективность новых процессоров несколько падает, несмотря на постоянный рост частоты работы кристаллов. Микропроцессор - это интегральная схема, сформированная на маленьком кристалле кремния. Кремний применяется в микросхемах в силу того, что он обладает полупроводниковыми свойствами: его электрическая проводимость больше, чем у диэлектриков, но меньше, чем у металлов. Кремний можно сделать как изолятором, препятствующим движению электрических зарядов, так и проводником - тогда электрические заряды будут свободно проходить через него. Проводимостью полупроводника можно управлять путем введения примесей. Микропроцессор содержит миллионы транзисторов, соединенных между собой тончайшими проводниками из алюминия или меди и используемых для обработки данных. Так формируются внутренние шины. В результате микропроцессор выполняет множество функций – от математических и логических операций до управления работой других микросхем и всего компьютера. Один из главных параметров работы микропроцессора – частота работы кристалла, определяющая количество операций за единицу времени, частота работы системной шины, объем внутренней кэш-памяти SRAM. По частоте работы кристалла маркируют процессор. Частота работы кристалла определяется частотой переключений транзисторов из закрытого состояния в открытое. Возможность транзистора переключаться быстрее определяется технологией производства кремниевых пластин, из которых делаются чипы. Размерность технологического процесса определяет размеры транзистора (его толщину и длину затвора). Например, при использовании 90-нм техпроцесса, который был введен в начале 2004 года, размер транзистора составляет 90 нм, а длина затвора – 50 нм. Все современные процессоры используют полевые транзисторы. Переход к новому техпроцессу позволяет создавать транзисторы с большей частотой переключения, меньшими токами утечки, меньших размеров. Уменьшение размеров позволяет одновременно уменьшить площадь кристалла, а значит и тепловыделение, а более тонкий затвор позволяет подавать меньшее напряжение для переключения, что также снижает энергопотребление и тепловыделение.
Содержание

Введение 1. Понятие планарной технологии 2. Анализ технологии 3. Технологические этапы производства микропроцессоров Заключение Список использованных источников
Список литературы

1. Пахомов С. Современные процессоры для ПК, Компьютер-Пресс, №12, стр.22, 2006г. 2. Сейсян Р.П. Принципы микроэлектроники: Учеб. пособие. Л.: Изд-во ЛГТУ, 1991 3. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия, 2002. 128 с. 4. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП, 32, 3(2005). 5. Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. Физико-химические основы технологии полупроводников. Пучковые и плазменные процессы в планарной технологии: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2007. 113 с. Интернет источники: 1. http://ru.wikipedia.org/wiki/Планарная_технология? 2. http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2476
Отрывок из работы

1. Понятие планарной технологии Планарная технология (от англ. planar-плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с одной стороны пластины (подложки), вырезанной из монокристалла. Планарная технология основа микроэлектроники, методы планарной технологии используют также для изготовления других твердотельных приборов и устройств (например лазеры). Планарная технология основывается на создании в приповерхностном слое подложки областей с различными типами проводимости или с разными концентрациями примеси одного вида, в совокупности образующих структуру полупроводникового прибора или интегральной схемы. Преимущественное распространение в качестве полупроводникового материала для подложек в планарной технологии получил монокристаллический кремний в ряде случаев используют сапфир, на поверхность которого наращивают гетероэпитаксиальный слой кремния n- или p- типа проводимости толщиной около 1 мкм. Области структур создаются локальным введением в подложку примесей (посредством диффузии из газовой фазы или ионной имплантации), осуществляемым через маску (обычно из пленки SiO2), формируемую при помощи фотолитографии. Последовательно проводя процессы окисления (создание пленки SiO2), фотолитографии (образование маски) и введения примесей, можно получить легированную область любой требуемой конфигурации, а также внутри области с одним типом проводимости (уровнем концентрации примеси) создать другую область с другим типом проводимости. Наличие на одной стороне пластины выходов всех областей позволяет осуществить их коммутацию в соответствии с заданной схемой при помощи пленочных металлических проводников, формируемых также с помощью методов фотолитографии. Подложка - термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала. Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с помощью процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д. При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.
Условия покупки ?
Не смогли найти подходящую работу?
Вы можете заказать учебную работу от 100 рублей у наших авторов.
Оформите заказ и авторы начнут откликаться уже через 5 мин!
Похожие работы
Реферат, Электроника, электротехника, радиотехника, 13 страниц
130 руб.
Реферат, Электроника, электротехника, радиотехника, 12 страниц
120 руб.
Реферат, Электроника, электротехника, радиотехника, 10 страниц
100 руб.
Реферат, Электроника, электротехника, радиотехника, 12 страниц
120 руб.
Реферат, Электроника, электротехника, радиотехника, 14 страниц
140 руб.
Реферат, Электроника, электротехника, радиотехника, 23 страницы
230 руб.
Служба поддержки сервиса
+7 (499) 346-70-XX
Принимаем к оплате
Способы оплаты
© «Препод24»

Все права защищены

Разработка движка сайта

/slider/1.jpg /slider/2.jpg /slider/3.jpg /slider/4.jpg /slider/5.jpg